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Intel logra hito con litografía EUV High-NA de ASML

9 de septiembre de 2026, 11:46 UTC · Hillsboro, Oregon, Estados Unidos · América · ya fuera de la ventana activa

Intel utiliza el escáner EUV High-NA de próxima generación de ASML en la fabricación en volumen, marcando un hito en la fabricación de semiconductores con máscaras más grandes y mayor producción de obleas.

Este resumen se tradujo automáticamente. La versión en inglés es la que prevalece. Ver el original en inglés.

Esta página la generó automáticamente TechMap Live a partir de una información de prensa pública publicada por Golem.de. Las coordenadas y el impacto son estimaciones: un evento suele situarse en la sede de la empresa o en la plataforma de lanzamiento. Esto es una agregación de cobertura periodística, no periodismo propio: lea la información original antes de fiarse de ella.

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