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芯片与硬件影响：中北华创新宣布 3D DRAM 刻蚀技术突破
· Beijing，中国 · 亚太地区 · 已不在活动时间窗内
北华创新发表关于 3D DRAM 新的两步刻蚀工艺的研究，可能帮助中国企业绕过 EUV 制裁。
本摘要由机器翻译生成，英文原文为准。 查看英文原文.
- 主题
- 芯片与硬件
- 地点
- Beijing，中国 (39.904°, 116.407°)
- 地区
- 亚太地区
- 影响
- 中
- 报道来源
- cnBeta
本页由 TechMap Live 依据 cnBeta 发布的公开新闻报道自动生成。坐标与影响级别均为估算——事件通常标注在公司总部或发射场。这是新闻报道的汇总，而非原创报道 — 在据此判断之前请先阅读原始报道。
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